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”和“TransFar創四方
”兩大自主品牌，產品覆蓋全國并遠銷海外。集團擁有占地面積80余畝，建筑面積40000m²的福建產業基地(位于福建省南平市武夷新區高新技術產業園區內)。集團系中國電源學會理事單位，北京電源行業協會常務理事單位，中國電子質量管理協會會員單位， 電車人產業聯盟理事單位，ISO9001質量體系認證單位，中國電子行業用戶滿意企業、用戶滿意產品單位。 經過多年發展，公司匯聚了一批高素質的專業技術人才，在各類產品上都能實現有針對性的專業性設計和高品質制造。所有產品都具有結構布局合理、隔離耐壓高、散熱好、環境適應能力強等顯著優點，可廣泛應用于新能源電動汽車、光伏發電、風力發電、電力智能化、鐵路、工業控制系統、電力電子裝置、智能儀器儀表、通用電器設備等不同行業復雜的使用環境中。 我公司的設計將以市場需求為導向，不斷創新，關注客戶并努力為客戶創造價值，與業界同仁攜手并進，共同為電子元器件市場和電力電子行業的繁榮與發展做出應有的貢獻。
“動力星”DRT803/111B
IGBT驅動變壓器
DRT系列IGBT驅動變壓器系我公司為驅動IGBT和MOSFET而專門研制的產品，以非晶合金和納米晶合金作為磁芯，可滿足多項應用要求。
一．產品特點：
①耦合電容低，使之具有很高的抗干擾能力；
②漏感小，保證了更好的輸出脈沖波形；
③無開關延時、瞬時傳輸功率高；
④抗電強度高，安全可靠；
⑤全封閉，機械和耐環境性能好；
⑥體積小巧，結構緊湊，外形美觀，針腳穿孔式安裝，使用方便。
二．使用條件：
①環境溫度：-40℃~+85℃
②相對濕度：溫度為40℃時不大于90%
③大氣壓力：860~1060mbar（約為650~800mmHg）
三．絕緣耐熱等級：F級（155℃）
四．安全特性：
①絕緣電阻：常態時大于1000MΩ
②阻燃性：符合UL94-V0級
五．各參數意義及外形圖、安裝尺寸、線圈圖和主要技術參數（典型值）
① 各參數的意義：
u—變比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。
VP—各繞組之間施加的抗電強度試驗電壓之有效值，持續時間60s。
∫udt—額定伏微秒積≈V1·tn（在一定頻率范圍內其值基本不變）。
V1—輸入脈沖幅度（初級脈沖電壓）。
tn—在相應的V1和FP下驅動變壓器的額定傳輸脈寬。
V2—輸出脈沖幅度（次級脈沖幅度）。
RL—IGBT模塊或MOSFET控制級等效電阻。
LP—線圈初級電感量 f=1000Hz V=0.3V
LS—漏感（將次級繞組短路后測量）f=1000Hz V=1V
CK—分布電容 f=1000Hz V=1V
② 外形圖、安裝尺寸、線圈圖及主要技術參數
u | Vp （kV） | 初級電感 LP | 漏感 LS | 分布電容 CK | ∫udt （μV S） | V1 （V） | tn （μS） | V2 （V） | RL （Ω） | 使用頻率范圍 |
1:1:1 | 6.0 | 3.5mH | 4.5μH | 50pF | ≥1000 | 15 | 66.6 | 13 | 100 | 100Hz~50 kHz |
